Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2360 pF @ 15 V |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 54A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 3.1W (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Корпус производителя | 8-PQFN (5x6) |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|