Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 15A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 988 pF @ 13 V |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Напряжение сток-исток | 25 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 51A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 3.6W (Ta), 26W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Корпус производителя | 8-PQFN (5x6) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|