IRFH4257DTRPBF

International Rectifier

IRFH4257DTRPBF

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 25A, 10V
Базовый Part NumberIRFH4257
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1321pF @ 13V
ПроизводительInternational Rectifier
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаBulk
Статус позицииВ производстве
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA

Электрические

Напряжение сток-исток25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A
Power - Max25W, 28W

Механические

Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяDual PQFN (5x4)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)