Общие
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Производитель | International Rectifier |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Производитель | International Rectifier |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток | 150 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 20W |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-205AF (TO-39) |