Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 35.4A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2450 pF @ 25 V |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 100 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Корпус производителя | TO-220AB |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|