IRFB5620PBF

International Rectifier

IRFB5620PBF

Аналоговые и силовые компоненты

IRFB5620 - 12V-300V N-CHANNEL PO

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs72.5mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1710 pF @ 50 V
ПроизводительInternational Rectifier
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность144W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220AB

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)