Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 11.5A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3529 pF @ 10 V |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 12 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 2.5W (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус производителя | 8-SO |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|