IRF343

International Rectifier

IRF343

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 350V 8A TO3

В производствеTO-204AA, TO-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs800mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 25 V
ПроизводительInternational Rectifier
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток350 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность125W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-204AA, TO-3
Корпус производителяTO-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)