IRF123

International Rectifier

IRF123

Аналоговые и силовые компоненты

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

В производствеTO-204AA, TO-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 25 V
ПроизводительInternational Rectifier
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность40W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-204AA, TO-3
Корпус производителяTO-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)