Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 52A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2880 pF @ 25 V |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 55 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 130W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA |
| Корпус производителя | TO-262 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|