Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.725Ohm @ 2.5A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 200 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 20W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
| Корпус производителя | TO-205AF (TO-39) |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|