P2114AL4

Intel

P2114AL4

Память и хранение данных

IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18DIP

В производстве18-DIPПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиVolatile
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Время доступа200 ns
ПроизводительIntel
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Время цикла записи200ns

Электрические

Объем памяти4Kbit
Формат памятиSRAM
Memory InterfaceParallel
Напряжение питания4.5V ~ 5.5V
Memory Organization1K x 4

Механические

КорпусBulk
Package / Case18-DIP
Корпус производителя18-DIP

Среда

Рабочая температура-55°C~125°C(TA)