LD2114AL4

Intel

LD2114AL4

Память и хранение данных

IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18CDIP

В производстве18-CDIPПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиVolatile
ТехнологияSRAM - Asynchronous
Время доступа200 ns
ПроизводительIntel
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Время цикла записи200ns

Электрические

Объем памяти4Kbit
Формат памятиSRAM
Memory InterfaceParallel
Напряжение питания4.5V ~ 5.5V
Memory Organization1K x 4

Механические

КорпусBulk
Package / Case18-CDIP
Корпус производителя18-CDIP

Среда

Рабочая температура-40°C~85°C(TA)