IGN1011L70

Integra Technologies Inc

IGN1011L70

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2

В производствеPL32A2Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительIntegra Technologies Inc.
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
ТехнологияGaN HEMT

Электрические

Power - Output80W
Voltage - Rated120 V
Voltage - Test50 V
Current - Test22 mA
Частота1.03GHz ~ 1.09GHz
Gain22dB

Механические

КорпусBulk
Package / CasePL32A2
Корпус производителяPL32A2