SPD08P06P

Infineon Technologies

SPD08P06P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 6.2A, 10V
Базовый Part NumberSPD08P
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds420 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияSIPMOS®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.83A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность42W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяPG-TO252-3