SN7002IXTSA1

Infineon Technologies

SN7002IXTSA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds32 pF @ 30 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 26µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность360mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяPG-SOT-23-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)