SIGC109T120R3

Infineon Technologies

SIGC109T120R3

Аналоговые и силовые компоненты

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

В производствеDieАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberSIGC109
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаBulk
Статус позицииВ производстве
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 100A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm)300 A

Механические

Package / CaseDie
Корпус производителяDie

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)