SIDC11D60SIC3

Infineon Technologies

SIDC11D60SIC3

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE SIL CARB 600V 4A WAFER

Снят с производстваDieАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberSIDC11
Capacitance @ Vr, F150pF @ 1V, 1MHz
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
ТехнологияSiC (Silicon Carbide) Schottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.9 V @ 4 A
Current - Average Rectified (Io)4A
Current - Reverse Leakage @ Vr200 µA @ 600 V
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseDie
Корпус производителяSawn on foil

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C