Общие
| Базовый Part Number | SIDC11 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 150pF @ 1V, 1MHz |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Discontinued at |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | SIDC11 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 150pF @ 1V, 1MHz |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Discontinued at |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9 V @ 4 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 600 V |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| Корпус производителя | Sawn on foil |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|