Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | SGB02N |
|---|---|
| Gate Charge | 11 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Switching Energy | 220µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/260ns |
| Test Condition | 800V, 2A, 91Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6.2 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 9.6 A |
| Power - Max | 62 W |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус производителя | PG-TO263-3-2 |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|