ISC110N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

ISC110N12NM6ATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRENCH >=100V

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 26A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 60 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияOptiMOS™ 6
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 35µA

Электрические

Напряжение сток-исток120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 62A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3W (Ta), 94W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)