Общие
| Channel Type | 3-Phase |
|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 6 |
| Product Status | Obsolete |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 200mA, 350mA |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Напряжение питания | 12V ~ 20V |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Корпус производителя | 44-PLCC |
Среда
| Рабочая температура | -40°C~125°C(TA) |
|---|