IRS2008MPBFAUMA1

Infineon Technologies

IRS2008MPBFAUMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

LEVEL SHIFT JUNCTION ISO

В производстве14-VFQFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberIRS2008
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
Тип входаCMOS
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)70ns, 30ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)290mA, 600mA
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.5V
Напряжение питания10V ~ 20V

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case14-VFQFN Exposed Pad
Корпус производителя14-MLPQ (4x4)

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 125°C (TA)