IRS2007MTRPBFXUMA1

Infineon Technologies

IRS2007MTRPBFXUMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC 200V HB GATE DRIVER 14VQFN

В производстве14-VFQFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)70ns, 30ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)290mA, 600mA
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.5V
Напряжение питания10V ~ 20V

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case14-VFQFN Exposed Pad
Корпус производителя14-MLPQ (4x4)

Среда

Рабочая температура-40°C~125°C(TA)