Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 50A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3779 pF @ 50 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Not For New Designs |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 143W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус производителя | I-PAK |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|