Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 21A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3770 pF @ 10 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Discontinued at |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 63W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус производителя | DPAK |
| Рабочая температура | -50°C ~ 150°C (TJ) |
|---|