Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 3A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.25W (Ta) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус производителя | Micro3™/SOT-23 |