IRLHS6376TR2PBF

Infineon Technologies

IRLHS6376TR2PBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

Устаревший6-VDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Базовый Part NumberIRLHS6376
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 25V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 10µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A
Power - Max1.5W

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-PQFN (2x2)