IRLHS6276TRPBF

Infineon Technologies

IRLHS6276TRPBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN

В производстве6-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Базовый Part NumberIRLHS6276
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds310pF @ 10V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 10µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A
Power - Max1.5W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-PowerVDFN
Корпус производителя6-PQFN Dual (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)