IRLHM630TR2PBF

Infineon Technologies

IRLHM630TR2PBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

Устаревший8-VQFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 20A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3170 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 50µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta), 40A (Tc)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case8-VQFN Exposed Pad
Корпус производителяPQFN (3x3)