IRLH5030TR2PBF

Infineon Technologies

IRLH5030TR2PBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN

Устаревший8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5185 pF @ 50 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 150µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 100A (Tc)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPQFN (5x6) Single Die