Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 90A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5090 pF @ 10 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 210W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Корпус производителя | TO-262 |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|