Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 51A, 7V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 15 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 7V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 110W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус производителя | D2PAK |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|