IRL2910STRRPBF

Infineon Technologies

IRL2910STRRPBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

Снят с производстваTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 29A, 10V
Базовый Part NumberIRL2910
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3700 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD2PAK