Общие
| Gate Charge | 132 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Trench |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Td (on/off) @ 25°C | 44ns/245ns |
| Test Condition | 180V, 35A, 10Ohm |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 110A |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Gate Charge | 132 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Trench |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Td (on/off) @ 25°C | 44ns/245ns |
| Test Condition | 180V, 35A, 10Ohm |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 110A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 110 A |
| Power - Max | 255 W |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус производителя | D2PAK |
| Рабочая температура | -40°C~150°C(TJ) |
|---|