Запросить цену
Главная/Продукты/Дискретные полупроводники/Транзисторы - IGBTs - Одиночные/IRG7CH81K10EF-R
IRG7CH81K10EF-R

Infineon Technologies

IRG7CH81K10EF-R

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

УстаревшийDieАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberIRG7CH
Gate Charge745 nC
Тип входаStandard
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
Td (on/off) @ 25°C70ns/330ns
Test Condition600V, 150A, 1Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 150A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V

Механические

КорпусBulk
Package / CaseDie
Корпус производителяDie

Среда

Рабочая температура-40°C~175°C(TJ)

Похожие компоненты

Похожие компоненты по семейству IRG7CH81K10EF-R, производителю или категории.

Требует проверки

Похожие компоненты для этой позиции пока недоступны.