IRFSL4127PBF

Infineon Technologies

IRFSL4127PBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 72A TO262

В производствеTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 44A, 10V
Базовый Part NumberIRFSL4127
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5380 pF @ 50 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C72A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность375W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Корпус производителяTO-262

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)