IRFSL38N20DPBF

Name: IRFSL38N20DPBF
Brand: Infineon Technologies

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 43A TO262

УстаревшийTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	54mOhm @ 26A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2900 pF @ 25 V
Производитель	Infineon Technologies
Тип монтажа	Through Hole
Product Status	Obsolete
Серия	HEXFET®
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

Напряжение сток-исток	200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	43A (Tc)