IRFR9014N

Infineon Technologies

IRFR9014N

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 3.1A, 10V
Базовый Part NumberIRFR9014
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.5W (Ta), 25W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяD-Pak