Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 26A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4910 pF @ 50 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Напряжение сток-исток | 100 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 47W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус производителя | TO-220AB Full-Pak |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|