IRFHS9351TRPBF

Infineon Technologies

IRFHS9351TRPBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN

В производстве6-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 3.1A, 10V
Базовый Part NumberIRFHS9351
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160pF @ 25V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 10µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A
Power - Max1.4W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-PowerVDFN
Корпус производителя6-PQFN Dual (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)