IRFHM8363TR2PBF

Infineon Technologies

IRFHM8363TR2PBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Устаревший8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs14.9mOhm @ 10A, 10V
Базовый Part NumberIRFHM8363
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1165pF @ 10V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A
Power - Max2.7W

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителя8-PQFN-Dual (3.3x3.3)