IRFHM830TR2PBF

Name: IRFHM830TR2PBF
Brand: Infineon Technologies

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

Устаревший8-VQFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 20A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2155 pF @ 25 V
Производитель	Infineon Technologies
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 50µA

Напряжение сток-исток	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Ta), 40A (Tc)