IRFHE4250DTRPBF

Infineon Technologies

IRFHE4250DTRPBF

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN

Устаревший32-PowerWFQFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.75mOhm @ 27A, 10V
Базовый Part NumberIRFHE4250
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1735pF @ 13V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияFASTIRFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA

Электрические

Напряжение сток-исток25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C86A, 303A
Power - Max156W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case32-PowerWFQFN
Корпус производителя32-PQFN (6x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)