IRFH8337TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH8337TR2PBF

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN

Устаревший8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs12.8mOhm @ 16.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds790 pF @ 10 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta), 35A (Tc)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPQFN (5x6)