IRFH7911TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH7911TR2PBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

Устаревший18-PowerVQFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 12A, 10V
Базовый Part NumberIRFH7911
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 15V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A, 28A
Power - Max2.4W, 3.4W

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case18-PowerVQFN
Корпус производителяPQFN (5x6)