IRFH7885TRPBF

Infineon Technologies

IRFH7885TRPBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 80V 22A 8PQFN

Устаревший8-VQFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2311 pF @ 40 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияFASTIRFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 150µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность3.6W (Ta), 156W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-VQFN
Корпус производителя8-PQFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)