IRFH7110TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH7110TR2PBF

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6

Устаревший8-TQFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3240 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 58A (Tc)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case8-TQFN Exposed Pad
Корпус производителя8-PQFN (5x6)