IRFH6200TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH6200TR2PBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN

Устаревший8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.95mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10890 pF @ 10 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 150µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C49A (Ta), 100A (Tc)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителя8-PQFN (5x6)