IRFH5220TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH5220TR2PBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN

Устаревший8-VQFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs99.9mOhm @ 5.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1380 pF @ 50 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A (Ta), 20A (Tc)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case8-VQFN Exposed Pad
Корпус производителяPQFN (5x6)