IRFH5020TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH5020TR2PBF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN

Устаревший8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2290 pF @ 100 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 150µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A (Ta)

Механические

КорпусCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителя8-PQFN (5x6)